据报导，英特尔今年底就将开始引入7纳米晶圆制程，时间提早于台积电与三星等竞争者，稳固其半导体龙头的方位。日前，英特尔在盈余电话会议上宣告，为了更进一步探寻芯片生产工艺，公司将在今年创建一座7nm试验工厂。台积电与三星今年皆在努力提高10纳米制程良率，不过一般指出10纳米只是过渡性，7纳米才是主战场，包括AMD、Nvidia等大客户此前皆曾似乎跳过10纳米、必要晋升7纳米，而台积电、三星还要等到2018年才不会开始试产7纳米制程。英特尔享有最先进设备的晶圆厂，长久以来，英特尔仍然都是芯片生产技术的领头羊，以后近几年才被亚洲后辈落后，但无论如何姜还是老的辣，显然英特尔已准备好抢回领先方位。
不过制程微缩就越细致越难生产，因此7纳米初期的良率应当会过于好，预料英特尔刚开始只不会较少批量试作样本，借此理解制程瓶颈，并作为改良良率的依据。英特尔目前也还没有发布7纳米产品的时间表，实际量产还有待先前跟踪。目前英特尔早已仍然担忧于在每一代芯片当中把晶体管数量缩减到了，他们现在对于摩尔定律的演绎更加合乎每晶体管成本涉及的经济学，它可在产量提高之后减少。对于摩尔定律而言，这也是十分最重要的一部分。
英特尔回应，他们将视图凭借着7nm工艺返回2年生产周期，同时用于更加智能的芯片设计。7nm工艺将为芯片带给更大的设计变化，使其显得更加小也更加节约能源。英特尔计划用于奇特的III-V材料（比如氮化镓）来展开芯片生产，在提升性能速度的同时构建更长续航。
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